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71M6533/G/H and 71M6534/H Data Sheet
FDS_6533_6534_004
6.5
6.5.1
Timing Specifications
Flash Memory
Table 86: Flash Memory Timing Specifications
Parameter
Flash Read Pulse Width
Flash write cycles
Flash data retention
Flash data retention
Condition
V3P3A = V3P3SYS = 0
(BROWNOUT Mode)
-40°C to +85°C
25°C
85°C
Min
30
20,000
100
10
Typ
Max
100
Unit
ns
Cycles
Years
Years
Flash byte writes between page or
mass erase operations
Write Time per Byte
Page Erase (1024 bytes)
Mass Erase
6.5.2
EEPROM Interface
Table 87: EEPROM Interface Timing
2
42
20
200
Cycles
μs
ms
ms
Write Clock frequency (I C)
Parameter
2
Write Clock frequency (3-wire)
Condition
CKMPU = 4.9 MHz,
Using interrupts
CKMPU = 4.9 MHz,
bit-banging DIO4/5
CKMPU=4.9 MHz
Min
Typ
78
150
500
Max
Unit
kHz
kHz
kHz
6.5.3
RESET
Table 88: RESET Timing
Parameter
Reset pulse width
Reset pulse fall time
Condition
Min
5
Typ
Max
1 1
Unit
μs
μs
1
Guaranteed by design; not production tested.
6.5.4
RTC
Table 89: RTC Range for Date
Parameter
Range for date
Condition
Min
2000
Typ
-
Max
2255
Unit
year
116
Rev 2
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